Vijesti

Većina MOSFET-ova koji se koriste u energetskim primjenama su površinski montirani uređaji (SMD), uključujući kućišta kao što su SO8FL, u8FL i LFPAK. Razlog zašto se ovi SMD-ovi obično biraju je taj što imaju dobru energetsku sposobnost i manju veličinu, što pomaže u postizanju kompaktnijih rješenja. Iako ovi uređaji imaju dobru energetsku sposobnost, ponekad učinak odvođenja topline nije idealan.

Topologija kruga odnosi se na vezu između energetskih uređaja i elektromagnetskih komponenti u krugu, dok dizajn magnetskih komponenti, krugova kompenzacije zatvorene petlje i svih ostalih komponenti kruga ovisi o topologiji. Najosnovnije topologije su Buck, Boost i Buck/Boost, jednostrani flyback (izolirani flyback), forward, push-pull, polumostni i puni mostni pretvarači.

SiC se može koristiti za dobivanje visokonaponskih dioda iznad 600 V u SBD (Schottky barrier diode) strukturi visokofrekventnih uređaja (najviši napon koji Si-SBD može podnijeti je oko 200 V).